Ийм төрлийн хагас дамжуулагчийг n төрлийн хагас дамжуулагч гэнэ. n хагас дамжуулагчийн хувьд цельсийн –2730-д нүхгүй байна. /зураг 2.11/ зураг 2.11. Цельсийн +250-д n хагас дамжуулагчийн валентын төвшинээс тодорхой тооны электронууд сугаран гарснаар валентын төвшинд нүх үүснэ. /зураг 2.12/ зураг 2.12.
HJT хагас дамжуулагчийг хөгжүүлэх боломж давуу тал: HJT хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн процесс энгийн байдаг. Тухайлбал, PERC хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд 8-10 технологийн процесстой бол HJT нь цэвэрлэж хэлбэрт оруулах, аморф цахиурын ялтсаар бүрэх, TCO ялтас бэлтгэх, дэлгэц хэвлэх гэсэн 4 технологийн …